机译:存在自热效应的AlGaN / GaN HEMT电流-电压特性分析模型
机译:Algan / gan Power Hemt电流-电压特性的温度相关分析模型
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:一种分析电流 - 电压特性模型,包括HEMTS的速度
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:应用混合分析模型逼近宽温度范围内mOsFET的电流 - 电压特性