首页> 外文会议>12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems >Radiation characterization of the austriamicrosystems 0.35 µm CMOS technology
【24h】

Radiation characterization of the austriamicrosystems 0.35 µm CMOS technology

机译:奥地利微电子公司0.35 µm CMOS技术的辐射表征

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

The design of mixed-signal ASICs for space requires a detailed knowledge of the behaviour of the technology to be used in an environment imposing radiation levels and temperatures beyond those found in standard applications. Commercial foundries providing standard CMOS technologies do not usually have or make available data on the behaviour of their devices under those conditions. Instituto de Microelectrónica de Sevilla and Universidad de Sevilla (IMSE-USE) have started a long term collaboration with the Spanish Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA) to extend its experience on mixed-signal design to the field of ASICs for space applications. The assessment of a commercial (austriamicrosystems) 0.35 µm CMOS technology is a first step towards the development of a mixed-signal design methodology, including an RHBD digital library suitable for use in space conditions.
机译:太空混合信号ASIC的设计要求对在辐射水平和温度超出标准应用条件的环境中使用的技术的行为有详细的了解。提供标准CMOS技术的商业代工厂通常在这些条件下没有或无法提供有关其设备行为的数据。塞维利亚微电子研究所和塞维利亚大学(IMSE-USE)已与西班牙国立航空技术研究所(INTA)进行了长期合作,以将其在混合信号设计方面的经验扩展到太空应用ASIC领域。对商用(奥地利微系统公司)0.35 µm CMOS技术的评估是迈向开发混合信号设计方法的第一步,该方法包括适用于空间条件的RHBD数字库。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号