Inst. of Semicond. Phys. SB RAS, Novosibirsk, Russia;
III-V semiconductors; carrier lifetime; indium compounds; laser beam effects; photoconductivity; semiconductor epitaxial layers; surface recombination; InAs; carrier life time; epitaxial layers; microwave method; nonequilibrium charge carrier recombination; photoconductivity relaxation parameters; pulse laser exposure; semiconductor film surface; surface recombination rate; microwave;
机译:热成像方法对SI技术板非纤维电荷载体重组参数的研究
机译:通过阴离子致发光在外亚纤维复合载体的杂质复合杂质复合的情况下通过阴极致发光识别氮化镓中的扩散长度
机译:非平衡电荷载流子的传输过程在InAs / GaAs量子点阵列辐射特性中的作用
机译:INAS中非纤维电荷载体重组的研究
机译:MWIR中的电荷载体动力学的时间分辨率测量LWIR INAS / INASSB Supertrices
机译:使用微聚焦XFEL光束的时间分辨HAXPES:从真空空间电荷效应到固有的电荷-载流子复合动力学
机译:修正“嵌入碳化硅中的硅纳米晶体:电荷载流子传输和重组的研究”(第102卷,033507,2013)