光子晶体双异构微腔增强掺铒硅基发光效应研究

摘要

我们在项层硅掺铒的SOI衬底上制作了二维非对称平板三角晶格光子晶体双异构微腔。室温PL谱中，仅存在一个位于1552.2nm通信波长处的很尖锐的发光峰，其发光强度相对于同等注入条件无光子晶体结构的SOI晶片增强了35倍。随着光泵浦功率的增加，谐振峰发生了明显的红移，并且Q值逐渐下降，在1.5mw泵浦功率下，Q值达3829。同时，实验验证了微腔谐振峰随光子晶体结构参数变化的规律。