用Smart—cut技术制备GOI及其性能的研究

摘要

本文采用键合及Smart—cut技术制备GOI结构，TEM测试结果表明键合质量良好：经过后续退火，GOI项层Ge薄膜的晶体质量得到改善，XRD测试得到Ge峰峰值半高宽仅为72.6arc sec，而且在键合剥离过程中残余的压应力得到了释放；经化学机械抛光(CMP)处理，GOI表面粗糙度大大降低，RMS约为1.37nm，基本满足器件制备的需求。