粗糙Ag岛膜增强氮化硅基器件的电致发光抽取效率

摘要

本文制备了一种基于ITO/Ag/SiNxIp+-Si/Al结构的氮化硅(SiNx)基发光设备(LEDS，light emitting devices)以期增强SiNx薄膜电致发光。与没有加Ag岛膜的参比器件相比，加入Ag岛膜的器件在相同电流下电致发光强度得到了显著增强，其外量子效率也提升了近一个数量级。通过比较上述两种器件载流子输运机制，发光强度以及表面形貌的变化，我们认为其EL的增强来自于载流子注入效率，SiNx中激子的辐射复合效率以及光抽取效率的提高。