4H-SiC VDMOS器件输出特性的仿真与拟合

摘要

本文采用一种VDMOS(垂直双扩散MOS)结构，借助Silvaco软件中的Atlas器件仿真工具，通过对迁移率模型及复合模型、雪崩击穿模型的修正，使得器件输出特性较接近实测数据，并通过对器件终端结构的优化，提高了器件耐压水平。SiC VDMOS器件在高频功率开关领域有着极其广大的应用前景，不足之处在于较低的沟道迁移率导致的较高导通电阻。由于物理特性及界面电荷分布的不同，SiC MOSFET仿真时需要对迁移率模型进行调整。重点通过对表面散射机制的研究，对主流器件仿真软件中的模型加以修正，可以将其应用于SiC器件仿真，较为准确地模拟出器件的工作特性，从而为日后的制造工艺改进提供必要的指导。