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罗谦; 刘斌; 于奇; 陈光炳;
中国电子学会;
氮化硅; 半导体薄膜; 化学气相淀积; 退火温度; 数学模型;
机译:通过SiN_x涂层的后沉积退火引入Si中的H浓度的红外研究
机译:HfAlO_(x)/ SiN / Si(001)结构的热退火过程中SiN中间层的分解
机译:DLTS和电导瞬态技术研究ECR沉积和快速热退火氮化硅Al / SiN_x:H / InP和Al / SiN_x:H / In_0.53Ga_0.47As结构的界面质量
机译:由于GaAs中的离子注入损伤,在注入的Si的注入后退火期间,从PECVD SiN_x帽引入多余的Si的证据
机译:Sin Suelo Sin Comida:利用参与式行动研究和农民视角评估萨尔瓦多东北部土壤健康在改善小农户粮食安全中的作用
机译:通过调解MiR-210 / SIN3A和MIR-183 / SIN3A信号通路电针通过调解MIR-210 / SIN3A和MIR-183 / SIN3A信号通路来减少汽油胺诱导的健忘
机译:等离子体合成的SiO 2缓冲的SiN x薄膜的可见光致发光:薄膜厚度和退火温度的影响
机译:arc sin x /2π,(d / dx)arc sin x和arc sin(k / n)表
机译:用于应力SiN薄膜的氨基乙烯基硅烷前体,能够增加内压缩应力以实现-4 GPa压缩应力薄膜
机译:应力SiN膜的氨基乙烯基硅烷前体产生更高的压应力
机译:SiN Si Si前驱体,用于低温沉积SiN
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