首页> 中文会议>第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 >多晶硅发射极工艺技术研究

多晶硅发射极工艺技术研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

通过对多晶硅发射极工艺的研究，优化多晶硅淀积工艺，界面氧化层控制在3nm左右，穿透电阻降低到2.5Ω/口，有效提高了发射效率，实现多晶硅发射极工艺稳定，多晶硅发射极工艺制作的NPN管单管频率提高到4GHz，满足高速运算放大器设计的需要.

著录项

来源
《第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2011年|118-120|共3页
会议地点三亚
作者
黄磊; 税国华; 陈俊; 肖可;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺;
关键词
集成电路; 多晶硅; 发射极工艺; 淀积工艺; 工艺优化;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 掺杂多晶硅发射极技术研究 [J] . 聂卫东 ,梅海军 ,范建超 . 微电子技术 . 1998,第003期
2. 双注入多晶硅发射极高性能BiCMOS技术研究 [J] . 何林 . 微电子学 . 1997,第1期
3. 激光工艺对选择性发射极多晶硅电池影响的研究 [J] . 庞龙 ,贾建楠 . 中国房地产业 . 2015,第006期
4. 激光工艺对选择性发射极多晶硅电池影响的研究 [J] . 庞龙 ,贾建楠 . 中国房地产业 . 2015,第0Z2期
5. 多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟 [J] . 刘其贵 ,吴金 ,郑娥 . 电子器件 . 2002,第001期
6. 多晶硅薄膜和多晶硅发射极光电晶体管 [C] . 李国辉 ,姬成周 . 第六届全国固体薄膜学术会议 . 1998
7. 运用选择性发射极以及二次印刷工艺的太阳能电池工艺优化 [A] . 李进喜 . 2012

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号