基于单脉冲放电的单晶硅蚀除机理研究

摘要

在单脉冲放电条件下对单晶硅材料蚀除机理进行了研究.对放电坑的大小和形貌进行了观察和分析,并将其划分为核心蚀除区、环形溅射区和外围热影响区3个区域.利用扫描电镜拍摄分析了放电凹坑的微观形貌,并结合放电机理,归纳总结出了单晶硅单脉冲放电的材料蚀除过程,并将其分为放电活化、快速电离材料热分解、晶格畸变裂纹形成、材料重凝裂纹扩展4个连续阶段.通过对半导体放电加工过程中材料蚀除机理的揭示,将推动半导体放电加工技术向着高效化、高表面质量化发展.