首页> 中文会议>第十七届全国高技术陶瓷学术年会 >源气浓度对CVD ZrC涂层的影响

源气浓度对CVD ZrC涂层的影响

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

以ZrCl4、 CH4为源气,H2和Ar为稀释气体和载气,采用化学气相沉积法(CVD)制备了ZrC涂层,研究了源气C/Zr比对ZrC涂层组成及形貌的影响.通过表征得出ZrC涂层表面比较粗糙,随着源气中C/Zr减小,ZrC涂层表面块状颗粒更致密,颗粒大小趋于一致;ZrC涂层中有Zr、C、O元素,含有化学计量比为1∶1的ZrC相和自由碳相,随着源气中C/Zr减小,涂层中Zr的原子分数相应增大,涂层中只有约20％的Zr元素与C结合形成ZrC.

著录项

来源
《第十七届全国高技术陶瓷学术年会》|2012年|45-48|共4页
会议地点南京
作者
Zhang Bifeng; 张笔峰; Li Wei; 李伟; Wang Song; 王松; Chen Zhaohui; 陈朝辉;
展开▼
作者单位

中国硅酸盐学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属复层保护;
关键词
复合材料; 抗烧蚀涂层; 化学气相沉积法; 源气浓度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. CVD法制备ZrC涂层与ZrC-TaC共沉积涂层的烧蚀性能 [J] . 宋永忠 ,李国栋 ,程家 . 粉末冶金材料科学与工程 . 2016,第006期
2. 氢气浓度对常压化学气相沉积ZrC涂层的影响 [J] . 李国栋 ,郑湘林 ,熊翔 . 中国有色金属学报 . 2010,第009期
3. CVD-SiC涂层封孔处理后C/C-ZrC-SiC复合材料的烧蚀行为 [J] . XIE Jing ,SUN Guodong ,LI Hui . 固体火箭技术 . 2018,第006期
4. MCVD工艺沉积温度对有源光纤掺杂浓度的影响研究 [J] . 衣永青 ,田海生 ,宁鼎 . 光通信技术 . 2007,第001期
5. 有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究 [J] . 王立 ,李述体 ,彭学新 . 发光学报 . 2001,第003期
6. 多气源低浓度SO2烟气综合回收制酸技术 [C] . WANG Zhaoqi ,王召启 ,ZHOU Qing . 中国石油和化工勘察设计协会热工专业委员会、全国化工热工设计技术中心站2016年年会 . -1
7. MOCVD与HVPE双腔体设备源气输送系统的研究与设计 [A] . 刘玉贵 . 2014

源气浓度对CVD ZrC涂层的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅