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相变存储器的可靠性设计方法

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相变存储器(Phase Change Memory,PCM)由于其高密度、低漏电功耗、抗辐射、非易失性、可扩展性等优势受到学术界和工业界的广泛关注,但是它面临着寿命有限、电阻漂移等可靠性问题.提高相变存储器的寿命和缓解电阻漂移对于其实用化十分重要.本文介绍了相变存储器的故障模型,延长其寿命的四类主要方法以及电阻漂移缓解方法.

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来源
《第七届中国测试学术会议》|2012年|251-257|共7页
会议地点杭州
作者
Fang Yuntan; 方运潭; Li Huawei; 李华伟; Li Xiaowei; 李晓维;
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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP333:TP302.7;
关键词
相变存储器; 可靠性设计; 故障模型; 电阻漂移;
入库时间 2022-08-17 11:07:50

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