3000V 4H-SiC基结势垒肖特基二极管的研制

摘要

在外延层掺杂浓度为1.6×1014cm-3,厚度为24μm的4H-SiC上制作了结势垒肖特基二极管,器件的P型注入区和外围的JTE保护层,采用Al多重能量注入,离子注入的激活温度为1250℃。室温下,器件的反向击穿电压达到了3000V以上,达到实验4H-SiC材料特性击穿电压的60％。器件的正向开启电压为2V,这可能是由极低的外延层掺杂浓度引起的。在Vr=7V时,正向电流密度达到了32A/cm2,比导通电阻Ron=127.5mtΩ-cm2。得到的器件势垒高度qφBn=0.98eV,理想因子约为1.24。