面向MMIC的BST片上压控电容

摘要

在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容，测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性，在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF)。同批次制作的GaN HEMT性能测试表明，该电容的制作工艺与标准GaN MMIC工艺完全兼容。