硅薄膜太阳电池p型纳米结构窗口层制备

摘要

采用PECVD技术，在较低的衬底温度（～60℃）条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P掺杂层。将这种氢化纳米硅p层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm)/i-a-Si:H (350nm)/n-nc-Si:H (30nm)/Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中，结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p层的太阳能电池性能最好。结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率9.0％（Voc=0.9V，FF=0.65,J=15.2 mA/cm2）。