分子束外延生长Bi2Te3薄膜

摘要

本文详细介绍利用MBE使用不同衬底生长BizTe薄膜的研究，衬底包括具有不同晶格取向的Si,GaAs,GaN等。在特定生长窗口中，可以制得单晶BizTe薄膜。薄膜的生长开始于二维成核，然后聚合成三维岛。对于具有六角对称的(111)取向的衬底，通过螺旋生长的方式会形成三角型岛。依据于三角型岛和螺旋的取向，两个相遇的三维岛可能会平滑接合或者互相排斥从而在相遇处产生形如沟壑的结构缺陷。