氮化硅薄膜成膜速率主要影响因素研究

摘要

氮化硅(SiNx)薄膜材料具有透明、高介电常数等优异性能,常用做薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor)栅极绝缘层(Gate-insulator)和保护层(Passivation).栅极绝缘层和保护层膜质对TFT器件的电子传输性能、残像等影响较大,膜质致密能够稳定TFT特性,但是会降低成膜设备稼动能力.本文采用PECVD成膜方式研究了氮化硅成膜主要工艺对成膜速率的影响,通过调整射频功率、成膜压强、电极间距、硅烷(SiH4)流量等制程参数制备不同氮化硅薄膜,并测试其膜厚计算出相对应的成膜速率.通过实验的结果分析了成膜工艺参数对成膜速率的均有不同程度影响,其中射频功率影响最大,为制备合适的氮化硅薄膜提供工艺窗口.