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中国电子学会;
氮化硅薄膜; 沉积速率; 表面形貌; 电子回旋共振; 化学气相沉积; 等离子体增强;
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:溅射非晶氮化硅薄膜的表面形貌和生长机理
机译:磁场对磁控溅射镀膜沉积速率和表面形貌的影响
机译:四(二甲基氨基)钛与肼作为共反应物的氮化钛和氮化硅氮化硅薄膜的化学气相沉积。
机译:氮化铬的表面形貌以及电学和光学性质。
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:应变对氮化硅薄膜导热系数的影响
机译:高沉积速率下大面积玻璃基板上氮化硅薄膜的等离子CVD
机译:与硅基板上的沉积速率相比,晶片预处理可降低二氧化硅在氮化硅上的沉积速率
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