脑梗死后不同时间窗经颅磁刺激对大鼠学习记忆能力及神经元凋亡的影响

摘要

目的：观察大鼠脑缺血-再灌注后不同时间窗开始经颅磁刺激(TMS)对其学习记忆能力及神经元凋亡的影响.方法：将200只SD大鼠随机分为正常组、假手术组、磁刺激组及模型组,每组又根据术后干预时间点细分为术后6h、12h、24h、48h及72h共5个亚组.采用线栓法将磁刺激组及模型组大鼠制成左侧大脑中动脉栓塞/再灌注(MCAO/R)模型.磁刺激组各亚组分别于脑缺血再灌注后不同时间点进行经颅磁刺激治疗,而正常组、假手术组及模型组各亚组均于相同时间点给予假磁刺激.各组大鼠均于治疗14d后取脑,采用水迷宫评估大鼠学习记忆能力,实时荧光定量PCR技术检测脑梗死侧Bcl-2mRNA的表达,免疫组化染色检测脑梗死侧Caspase-3的表达.结果:同一时间窗不同组比较:经颅磁刺激组MCAO/R大鼠的逃避潜伏期及Caspase-3表达均明显低于模型组(P<0.05)，而Bcl-2 mRNA的表达均明显高于模型组(P<0.05)。同一组不同时间窗比较:上述各数据不同治疗时间窗亚组之间均有明显差异(P<0.05)，其中逃避潜伏期及Caspase-3表达以术后24h亚组均值相对较低，而Bcl-2mRNA表达水平以术后12h亚组均值相对较高。结论:脑缺血再灌注后12-24h内给予TMS治疗，能显著促进脑梗死大鼠学习记忆能力恢复及Bcl-2表达，同时有效抑制Caspase-3表达，对保护受损神经细胞、促进神经功能恢复具有重要意义。