高品质AZO制备及其在硅基薄膜太阳电池中的应用

摘要

以自制的高电导、高致密度的掺铝氧化锌陶瓷靶为靶材,采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(AZO)薄膜.研究了衬底温度对AZO薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响,并成功将其应用于纳米硅薄膜太阳电池的透明导电膜层.实验结果表明:在衬底温度为200°C、氧氩分压比为0.7％时,薄膜的光电性能最好,电阻率达到4.07×10-4Ω·cm,平均透过率可达到90％以上,光学带隙宽度达到3.4eV.测得太阳电池的I-V特性参数为:开路电压Voc=534.3mV,短路电流Jsc=22.915mA/cm2.