不同过饱和度下生长的ADP晶体的缺陷研究

摘要

磷酸二氢铵晶体(NH4H2PO4，简称ADP)，是一种性能优良的非线性光学晶体，具有激光倍频效应、X射线分光效应、光电效应、压电效应等多种功能，且易于长成大尺寸晶体，在光电调制、非线性光学等领域有广泛的应用。进行了不同的过饱和度下ADP晶体的生长实验,观察晶体生长过程中的实验现象;对生长出的晶体用腐蚀法在金相显微镜下观察位错缺陷,随着过饱和度的增加晶体中的位错缺陷密度明显提高;利用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了晶体(001)和(010)晶面的形貌像,观察到了晶体生长中的位错及包裹体等缺陷.