GaAs器件电磁脉冲效应试验与毁伤机理研究

摘要

本文介绍了砷化镓低噪声器件电磁脉冲效应试验响应的易损敏感端，对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波，研究器件在静态时损伤阈值。根据砷化镓器件易损性薄弱环节，从砷化镓器件的结构、内部缺陷等出发，探索电磁脉冲对砷化镓器件易损性薄弱环节的损毁机理。通过对毁伤试验分析，进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效，对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义。本文GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下，获得的损伤阈值约为3.024μJ。在EMP负脉冲注入情况下，损伤阈值约为10.02μJ。初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤。