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马艳; 张源涛; 张宝林; 杜国同;
中国电子学会;
广州市科协;
氧化锌薄膜; 化学气相沉积法; X射线光电子能谱; 元素价态; 晶粒尺寸;
机译:MOCVD制备高质量非多孔ZnO薄膜的同质外延生长以及通过XRD测量不对称平面对同质外延ZnO薄膜的评估
机译:沉积条件对MOCVD生长ZnO薄膜生长速率和电学性能的影响
机译:改变MOCVD生长ZnO薄膜热电性能的最佳退火温度的研究
机译:通过在150度的极低温下通过MOCVD和光MOCVD生长的低电阻纹理化ZnO薄膜
机译:ZnO薄膜的生长及其应用研究
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:Ga和As从半绝缘GaAs衬底到MOCVD生长的ZnO薄膜中的异常扩散与退火温度的关系及其对电荷补偿的影响
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。
机译:用MOCVD生长ZNO薄膜的方法。
机译:含ZnO薄膜生长的原始材料供应源,生产含ZnO薄膜的装置和方法以及包括ZnO薄膜的发光元件
机译:MOCVD法沉积有机锌前驱体和ZnO薄膜
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