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中国电子学会;
广州市科协;
InGaN合金薄膜; 化学气相沉积法; 金属有机物化学气相外延; 能带带隙; 光电极; 晶体结构; 光电学性质;
机译:MOCVD横向过生长法制备InGaN非社会结构
机译:通过MOCVD生长的高含量InGaN合金的特性
机译:MOCVD生长的高In含量InGaN合金的特性
机译:通过MOCVD中周期性中断的生长制备InGaN量子点
机译:高压MOCVD反应器中InGaN材料和器件结构的生长
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积(mOCVD)生长富InGaN量子点(QD)
机译:生长Ingan的方法和Mogan生长的MOCVD设备
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
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