通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

摘要

以富磷2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。测试其霍尔效应和I-V曲线,表明生长所得的ZnGeP2晶体属于P型半导体,电阻率为7.5×106Ω·cm。经定向切割后,得到尺寸为10×10×2mm3的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550°C进行退火处理。结果表明,磷气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显:而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右。说明VZn对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而VP0的影响较小。