两面顶低温超高压烧结纳米碳化硅的研究

摘要

采用两面顶低温超高压(LT-HP)技术在压力4.5GPa、温度(1250±50)°C、烧结时间20min的条件下烧结制备了纳米碳化硅(SiC)陶瓷,研究了烧结体的物相组成、化学成分、微观结构、显微硬度、纳米压痕力学性能等。结果表明,不添加烧结助剂且在较低温度下获得的SiC烧结体的相对密度高达98.4％,其显微硬度达到HV3520；纳米压痕测试硬度高达H31.74GPa、弹性模量E313GPa；烧结体的晶粒尺寸约为89nm,结构致密,无气孔。