高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究

摘要

高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,本文在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2 GHz谐振频率间隔20 MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22 MHz,与理论接近,显示了较好的频率特性,实验同时制备了的高C轴取向的AlN薄膜.