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刘春梅; 李明伟; 曾丹苓;
中国工程热物理学会;
CZ法; 硅单晶体; 热应力;
机译:生长中的CZ硅晶体中因热应力而改变的点缺陷浓度:生长速率的影响
机译:Ge_(1-x)Si_x块状晶体Cz生长过程中熔体中硅迁移的三维非定常建模分析
机译:界面反转对氧化物CZ晶体生长中热应力场的影响
机译:CZ硅沉淀物的生长和CZ硅的脱位:对少数群体的影响
机译:使用扫描隧道显微镜直接写入和超高真空化学气相沉积法生长和分析硅锗碳纳米结构。
机译:磁控激光诱导等离子体微加工单晶体硅加工特性研究
机译:CZ生长期间散装单晶的热应力分析。各种单晶的各向异性作用。
机译:CZ多晶硅中Cu和Ni沉淀行为对冷却条件的依赖性。预印本。会议文件
机译:单晶体生长装置的过滤装置,其能够防止单晶体生长装置和包括该过滤装置的单晶体生长装置的内部压力的控制不良。
机译:基于CZ方法的冷却器配备的硅单晶硅单晶硅上拉器件,通过Dashneck方法改善了缺陷的位移,改进了基于CZ方法的硅单晶硅的上拉器件,并提供了基于COLOLE的COOL焊点,并在直径上增加了尺寸
机译:控制CZ生长过程中CZ生长的硅单晶侧表面引起的氧簇聚集和点缺陷的形成
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