可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT 扩散电容模型

摘要

载流子在发射结和集电结的运动引起的电荷存储效应,被称为扩散电容.在PSPICE模拟软件中,模型还不是很精确,本文主要建立了可以嵌入PSPICE的SiGeHBT的扩散电容模型,使其可以更精确的模拟仿真SiGeHBT器件和电路的性能.文中考虑了准饱和效应、速度饱和效应以及厄利效应对载流子正反向输运产生的影响,基于大电流SiGeHBT等效电路模型建立起来扩散电容模型,经过验证,器件的直流分析可以与文献报道符合的较好.