不同Al组分AlGaN/GaN HEMT的模拟与分析

摘要

本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应进行了模拟.其次,通过考虑极化前后的转移特性的比较,可知Al组分越大,器件的二维电子气浓度越高,从而增加了器件的漏源饱和电流.尤其在考虑了器件的极化效应后,漏源饱和电流的增加幅度有了明显的提高.