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离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

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摘要

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.

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来源
《第五届中国功能材料及其应用学术会议》|2004年|881-883|共3页
会议地点秦皇岛
作者
杨宇; 陈刚; 邓书康; 高立刚; 刘焕林; 吴国元; 俞帆; 陈长青; 陈亮; 郝瑞亭;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
Si/Ge多层膜; 离子束外延; XRD; Raman散射;

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