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4-9nm n-MOSFETs热载流子退化及寿命预测

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本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|498-502|共5页
会议地点昆明
作者
穆甫臣; 许铭真; 谭长华; 段小蓉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
MOS器件; 热载流子; 退化特性; 寿命预测; 氧化层厚度;
入库时间 2022-08-17 11:18:05

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