SiC平面/Al薄膜近场辐射计算与分析

摘要

本文运用Rytov理论对近场辐射传热的几种实例进行理论计算与分析,包括两个半无限大SiC平面间近场辐射,金属Al薄膜在真空中近场辐射等.说明当物体几何尺寸或分离间距达到亚波长尺度时,物体的辐射量得以强化;真空中金属Al膜足够薄(小于趋肤深度)时,TE模型的作用随膜厚度的减小而减小,而TM模型作用增大,以及分析各个变量对TE/TM模型的影响.这将为半导体/金属复合材料间近场辐射分析提供重要计算参考,通过改变相关参数还可得到其他平面或薄膜材料的近场辐射特性.