平面SiC薄膜场致发射的机理研究

摘要

碳化硅在场致发射（ＦＥＥ）应用中除了具有金刚石的一般优点之外，还具有易于ｎ型或者ｐ型的掺杂的特性。本文用ＡＰＣＶＤ方法研制了一种ＳｉＣ薄膜。在ＦＥＥ测试中发现，其开启场强低达０．３ＭＶ／ｍ，根据电子发射中理论分析。得到一种电流随电压指数增加的模式可用于理解场致发射的测试结果。根据这个模型，电子从衬底向薄膜的注入和电子在薄膜中的输运是限制发射的主要因素。由此还可以推测。