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ZnS∶Er+交流电致发光薄膜中的深能级

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该文报导采用热激电流（TSC）法，对三种不同结构的ZnS∶Er[*+*]—ACTFEL样品，在80度K—430°K温度范围内，检测得三个热激电流峰。可认为ZnS:Er[*+*]层体内。ZnS:Er[*+*]/Y[*v2*]O[*v3*]或ZnS:Er[*+*]/SnO[*v2*]介面处存在不同深度的陷阱能级。估算其位置和密度。并对实验结果进行讨论。（本刊录）

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来源
《第四届全国发光学术会议》|1986年|10|共1页
会议地点上海
作者
陈振湘; 孙书农; 刘瑞堂;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O463.2;
关键词
发光材料; 铒; 硫化锌; 陷阱(半导体); 光学薄膜; 能级; 电致发光;

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