HPM输出窗真空侧击穿等离子体诊断和机理分析

摘要

本文研究了高功率微波输出窗真空侧等离子体发光随时间和空间的变化规律.实验发现真空侧击穿过程中,二次电子倍增和等离子体在表面毫米薄层内发展,发光量度在脉冲结束后变得更加明亮,而发射厚度增加较少.通过分析和PIC数值模拟,发现在表面脱附气体高压层中,存在致密电离,导致表面明亮的发光层.微波主脉冲后等离子体电子能量降低到非弹性激励截面的峰值,导致更加明亮的发光.