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苏佳; 高圣伟; 刘武扬;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
氮化镓晶体管; 开关特性; 双脉冲测试; 寄生参数;
机译:相腿电路中具有p-GaN栅极的常态 off sc> GaN晶体管的开关瞬态分析
机译:使用HiSIM-GaN紧凑模型分析大功率应用中GaN高电子迁移率晶体管的开关特性
机译:用AlGaN回屏障的inalGan / GaN高电子迁移晶体管电特性分析
机译:蓝宝石衬底上GaN-PSJ(极化超结)晶体管的开关特性分析
机译:用于开关应用的高压GaN-on-Si场效应晶体管
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:通过考虑自加热效应,GaN基金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管DC特性分析
机译:用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。
机译:MOS晶体管的特性表示方法,半导体电路特性分析方法以及半导体电路特性分析器
机译:GAN模式的GAN晶体管具有选择性和非选择性蚀刻层,可改善GAN间隔厚度
机译:用于SiC或GaN MOSFET晶体管和相关方法的开关装置短路的保护电路
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