退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
朱广润; 张凯; 孔月婵; 郁鑫鑫; 陈堂胜;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
高电子迁移率晶体管; 制备工艺; 铟铝镓氮化合物; 超薄势垒层; 短沟道效应;
机译:用于HEMT的具有超薄厚度的四元InAlGaN势垒的生长
机译:具有拉伸应变四元InAlGaN势垒的新型高电流密度GaN基常关晶体管
机译:具有 $ f_ {T} / f_ {max} $ tex> formula>的230/300 GHz四元势垒InAlGaN HEMT
机译:fT> 260 GHz的高性能超薄四元InAlGaN势垒HEMT
机译:基于介电势垒放电的等离子执行器设计的研究,该设计在主动流控制中具有增强的性能。
机译:WO3·2H2O超薄纳米片实现基于半导体-金属过渡的高性能柔性电致变色器件
机译:湿法刻蚀InAlGaN势垒HEMT结构的结构和形态研究
机译:基于铝的某些新型三元和四元合金的电化学性能
机译:具有InAlGaN势垒的基于III-N的高功率晶体管
机译:用于非常高频率的半导体器件-在外延层的侧面有欧姆源,并在其旁边有势垒空间电荷区
机译:具有超薄势垒层的高性能互连的增强铜生长
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。