首页> 中文会议>2015年光与计量学术交流会 >基于插入MoO3缓冲层并五苯OFET的研究

基于插入MoO3缓冲层并五苯OFET的研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

制备基于半导体层为并五苯用10nmMoO3修饰源漏电极的有机场效应晶体管(OFET).与未修饰电极的有机场效应晶体管相比较,有机场效应晶体管的性能有了很大的提高.迁移率和阈值电压分别是0.24cm2/Vs和6V.其性能的改善主要归咎于插入一层薄的金属氧化物MoO3改善了电极与有机半导体层之间的接触电阻,使得有机场效应晶体管的性能得到了很大的改善.

著录项

来源
《2015年光与计量学术交流会》|2015年|133-138|共6页
会议地点北京
作者
Xu Chunbin; 许春彬; Fan Jianfeng; 樊建锋;
展开▼
作者单位

中国照明学会;

中国计量测试学会;

北京照明学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
有机场效应晶体管; 源漏电极; 金属氧化物; 表面修饰; 接触电阻;
入库时间 2022-08-17 11:14:20

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 采用MoO3阳极缓冲层的钙钛矿太阳能电池研究 [J] . 王俊 ,禹豪 ,张继华 . 发光学报 . 2018,第003期
2. n-型有机半导体插入层提高p-型并五苯薄膜晶体管性能 [J] . 李谊 ,刘琪 ,蔡婧 . 无机化学学报 . 2014,第011期
3. 非晶硅薄膜太阳能电池的p/i和i界面插入缓冲层对电池性能影响研究 [J] . 李娟 ,冯国林 . 科技创新导报 . 2017,第025期
4. NET基于两层的SqlDataSource和基于三层的ObjectDataSource的数据插入和更新的性能对比研究 [J] . . 电子世界 . 2013,第012期
5. 基于TiO2/PMMA复合绝缘层的并五苯场效应晶体管研究 [J] . 杨丹 . 科技创新导报 . 2019,第026期
6. MoO3掺杂CuPc缓冲层对有机太阳能电池的影响 [C] . 曹国华 ,关敏 ,李林森 . 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2010
7. 修饰层与缓冲层的插入对聚合物太阳能电池性能的影响 [A] . 张烨 . 2014

基于插入MoO3缓冲层并五苯OFET的研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅