首页> 中国专利> 一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法

一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动,包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5),绝缘层(2)为一种普适材料PVP,在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2),在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20180124

    实质审查的生效

  • 2018-09-14

    公开

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