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LiuJingjing; 刘晶晶; LiuDaoguang; 刘道广; YaoWeiming; 姚伟明; JuFengfeng; 巨峰峰; GuXiaochun; 顾晓春; WengChangyu; 翁长羽;
中国电工技术学会电力电子学会;
中国电工技术学会电气节能专业委员会;
深圳航天科技创新研究院;
金属氧化物半导体晶体管; 电子辐照; 开关特性; 使用寿命;
机译:利用深体接触改善新型功率金属氧化物半导体场效应晶体管非钳位电感开关特性的实验研究
机译:600 V级电子辐照快速恢复超结VDMOS的电气特性分析
机译:低导通电阻和改善的高速开关特性东芝功率MOSFET 800V耐压型
机译:电子辐照对双外延SJ-VDMOS反向恢复影响的建模与仿真
机译:具有改进的直流和开关特性的新型低压功率MOSFET。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:VDMOS作为功率MOSFET的综述
机译:功率晶体管开关特性
机译:具有具有改善的磁开关特性的磁隧道结的半导体装置及其形成方法(具有改善的磁开关特性的磁隧道结)
机译:具有具有能改善开关特性的沟槽门结构的功率半导体器件
机译:具有改善的开关特性以保持低电压的功率半导体器件
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