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黄章勇;
半导体二极管;
机译:阈值电流为1.3微米,1.55微米和1.55微米MQW DFB P衬底部分倒置的埋入异质结构激光二极管
机译:采用分泵配置的高本征调制带宽InGaAsP / InGaAsP 1.55μm非对称有源多模干涉仪激光二极管
机译:(λ= 1.55μm)InGaAsP / InP激光二极管的受激发射的内部量子效率
机译:INAS / INGAASP量子点激光二极管的特性在1.55um下激光
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:用于1.55-μm电信频段的单光子源的InGaAsP / InP纳米腔
机译:具有亚微米对准精度的si光子电路上InGaasp微盘激光器的光流控组件
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。
机译:经由表面以1.3微米至1.55微米范围内的波长发射的垂直腔激光发射组件及其制造方法
机译:激光发射系统,异质结构和有源区域,包括耦合的子量子阱,用于1.55微米的激光发射
机译:激光发射系统,具有定量耦合子井的异质结构和有源区域,用于1.55微米激光发射
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