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刘宝林; 范爱英;
中国有色金属学会;
光电二极管; 异质结; 光电器件; P-I-N二极管;
机译:具有对称和不对称掺杂轮廓的平面InP / InGaAs / InP引脚光电二极管的比较
机译:具有优先横向扩展保护环的平面结构InP / InGaAsP / InGaAs雪崩光电二极管,用于1.0-1.6μm波长的光通信
机译:高速InP / InGaAs Uni-Travel-载波光电二极管,具有偶极掺杂的InGaAs / InP吸收器界面
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:使用简单的基板倾斜方法在InP(111)B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译:通过晶圆键合和氢诱导层剥离在硅上集成Inp / InGaas / Inp p-i-n光电二极管
机译:p + -Inp / n-Inp / n-InGaasp光电二极管的电容 - 电压特性计算
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机译:InGaAs / InP MESA型光电二极管及其制造方法
机译:基于INGAAS / ALINAS / INP异质表皮结构的金属结构光电二极管
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