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吴福民;
中国电子学会;
外延层;
机译:用24 GeV / c质子和1 MeV中子辐照的150μm厚n型和p型外延硅传感器的研究
机译:氢化物气相外延生长参数对厚外延横向生长的GaN厚层中裂纹密度的影响
机译:150μm厚的外延N型4H-SiC肖特基辐射辐射探测器电流流动机构中深度和屏障高度降低的作用
机译:重掺杂衬底上回焊技术的研究及其在高阻厚外延大规模生产中的应用
机译:通过反应分子束外延和材料表征,在蓝宝石衬底上生长纤锌矿型氮化镓外延膜。
机译:Si在GaN / AlN / Si(111)等离子体辅助分子束外延中的作用:极性和反型
机译:悬臂外延纳米透明型SI基板上厚ALN层的直接生长
机译:具有低载流子浓度的厚同质外延GaN,用于高阻断电压
机译:LED包括由N型掺杂材料制成的第一层的厚部分,由N型掺杂材料制成的第二层的厚部分,该第二层被由薄层组成并由P型氮化镓层覆盖的叠层覆盖,并且具有空腔
机译:形成包括第一外延层和形成在具有不同于第二外延层的导电类型的第一外延层之上的第二外延层的反掺杂半导体器件的方法
机译:测量外延膜的膜厚的方法,制造外延晶片的方法和控制外延晶片的制造过程的方法
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