用Raman光谱分析MBE生长G<,ex>Si<,1-x>膜的组份及应力

摘要

对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ〈，１－ｘ〉合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组份和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内厚子排列发生了弛豫。