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溅射温度对Ni80Fe20各向异性磁阻薄膜磁特性影响的研究

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采用磁控溅射技术研究了溅射温度对各向异性Ni80Fe20磁阻薄膜特性的影响.提高溅射温度给薄膜原子提供了能量,使薄膜原子在基片表面运动再分布,减少了膜内晶粒之间以及与基片之间的应力,改善了晶格结构和薄膜表面粗糙度,进而改善了薄膜的磁阻特性;溅射温度过高会导致Ni80Fe20与Ta缓冲层之间的互扩散,影响Ni80Fe20材料的磁特性.经过试验验证和综合分析,280℃的溅射温度可以制备出磁性参数较好的Ni80Fe20磁性薄膜.

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来源
《2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2014年|56-57|共2页
会议地点太原
作者
饶晓俊; 刘琛; 闻永祥; 闫建新;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.7:TN304.0;
关键词
向异性磁阻薄膜; 铁化镍; 溅射温度; 磁特性;
入库时间 2022-08-17 10:33:59

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