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季振国; 卢焕明; 阙端麟;
中国有色金属学会;
超晶格; 双晶; X射线衍射; 检测; 锗/硅; 外延生长;
机译:X射线双晶衍射研究纯Ge / Si短周期超晶格
机译:AIP / GaP短周期超晶格的X射线双晶衍射和拉曼光谱测量
机译:使用(Si {sub} 14 / Ge {sub} 1){sub} 20和(Si {sub} 28 / Ge {sub} 2){sub}的Si {sub} 0.75Ge {sub} 0.25合金层的MBE生长10个短周期超晶格
机译:短周期(Si_(14)/ Ge_1)_(20)和(Si_(28)/ Ge)2)_(10)超晶格作为生长Si_(0.75)Ge_(0.25)合金层的缓冲层
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:超快电子衍射中的斑点轮廓分析和寿命映射:Si(001)上自组织Ge纳米结构的晶格激发
机译:来自GEXSI1-X / SI应变层超晶格的横截面样本的大角度会聚光束电子衍射图中的衍射信息的高空间分辨率
机译:si(x)Ge(1-x)/ si和si(x)Ge(1-x)/ Ge超晶格的温度和成分相关结构
机译:使用Si和Ge的具有短周期超晶格结构的场效应器件
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:包括超晶格SiGe / Si鳍结构的半导体器件
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