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娄志东;
中国物理学会中国稀土学会;
电子迁移率;
机译:纳米晶TiO_2包裹SiO_2-六方钡钡铁氧体提高电子迁移率和太阳能收集潜力
机译:退火过程中非晶SiO / SiO2超晶格中SiO薄层的相分离
机译:Al掺入对SiO_2 / Si(100)衬底上的非晶β-FeSi_2薄膜中非晶FeSi_2结晶动力学的影响
机译:通过第一性原理研究在控制电子俘获能级中非晶SiO_2缺陷的内在重构
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:Si纳米晶-SiO2体系中磷的位置和电子性质
机译:纳米晶TiO2包裹的SiO2-钡六方铁氧体可增强电子迁移率和太阳能收集潜力
机译:空气中非平衡传导电子的迁移率。
机译:高电子迁移率晶体管的表层晶圆的制造方法以及高电子迁移率晶体管的表层晶圆的制造方法
机译:高电子迁移率晶体管(HEMT)和假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)的单层集成金属工艺
机译:具有单层集成金属的高电子迁移率晶体管(HEMT)和假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)器件
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