Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱研究

摘要

该文利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响。结果表明表面活化剂Sb的存在大大抑制了界面的相互扩散，在650℃下也没有观察到明显的界面互混。没有Sb时，在500℃下已存在一定程度的界面互混。