Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术研究

摘要

MOSFET总剂理加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式下没条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献，得出干氧抗总剂量加固较佳的工艺条件。